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MINSEOA®PAE-8000s光刻胶

来源:厦门良厦贸易有限公司 发布时间:2024-12-28 11:15:35


类型型号光源胶厚适用范围
微流控胶SU-8 2000系列Near UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray0.5-650um高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件
SU-8 3000系列5-100um高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,较2000系列具有更好的基底粘附性,更不易在工艺过程中产生内应力积累,适用于MEMS工艺,微流控,光电器件制作以及作为芯片绝缘、保护层使用

HTG910-Line95-168um厚胶,适用于电镀
KMPRNear UV(350-400nm),推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray5-115um高分辨率,垂直性好,显影适用TMAH&KOH,易去胶,耐干法刻蚀
SU-8干膜-Line5-1000um多种厚度选择,深宽比>5,粗糙度小,耐腐蚀
电子束胶SML系列(耐刻蚀)E-beam50-5000nmEM RESIST,5nm线宽,高分辨率,高深宽比,垂直性好,耐刻蚀,与基底粘附性好
PMMA国产E-beam40-7um高分辨率,涵盖40k-1000k多种分子量,适用于掩模版制作,金属剥离lift-off和电镀掩模等工艺
PMMA/MMA(进口)E-beam,X-ray&deepUV imaging50-5000nmMicroChem,950K,495K两种分子量,线宽<0.1um,与基底粘附性好,适用于电子束光刻,多层T-Gate剥离,晶圆减薄等
PMMA(进口)E-beam30-2000nm高分辨率电子束胶,具有35K,120K,350K,495K,950K等多种分子量,适用于各种电子束光刻
SU-8GM1010E-beam,X-ray500-700nm可用于做高宽比较大的纳米结构
HSQE-beam,X-ray30-950nm高分辨率,耐刻蚀,垂直性好,常用的电子束负胶
Lift-off胶ROL-7133g/h/i-Line2.2-4um负性光刻胶,倒角75~80°,粘附性好,使用普通正胶显影液,适用于制作金属电极或导线
LOR/PMGI-SF与g/h/i-Line,DUV,193nm,E-beam光刻胶兼容50nm-6um高分辨率,可用于<0.25um Lift-off工艺,粘附性好,良好的耐热稳定性,易去胶,作为双层胶的底层胶使用
HTIN160-Line1.2-2um高分辨率负胶,400nm线宽,高对比度、高宽容度、易去胶,应用于负胶光刻、ift-off工艺,制作电极,导线等.
NLOFi-Line1.8-12um感光性好,高分辨率,耐高温,适用于lift-off工艺
NR系列i-Line或g/h-Line0.5-20umFuturrex,粘附性好,耐高温,适用于MEMS、封装、生物芯片等工艺
DUV光刻胶HTKN601系列248nm0.4-1.2um高分辨率负胶,300nm线宽,适用于半导体的光刻工艺和金属剥离工艺
RD1000248nm150-300nm分辨率高,130nm线宽,国产深紫外光刻胶,已经在量产单位规模使用
正胶HTI751-Line0.8-1.2um国产高分辨率正胶,0.35um线宽,高分辨率、低驻波效应、垂直度好,应用于MEMS、IC工艺
RDP-8003(55cp)i-Line,Broadband2.3-3.5um国产正胶,高分辨率,工艺宽容性高,应用于MEMS、IC、LED
SPR955系列-Line0.7-3.5um分辨率高,0.35um线宽,广泛使用的高分辨率正胶
S18xx系列g-Line0.4-2.7um高分辨率正胶,0.5um线宽,粘附性好,常用的薄光刻胶,稳定可靠
SPR220系列-Line1-10um粘附性好,耐干法/湿法刻蚀,适用于选择性电镀,深硅刻蚀等工艺
负胶SU-8 GM10xx系列g/h/i-Line0.1-200um高深宽比,透明度高,垂直性好,适用干微细加工的机械结构(MEMS)和其他的微型系统
SU-8Microchem系列Near UV(350-400nm)推荐i-Line,也可用于E-beam,X-ray0.5-650um高深宽比,垂直性好,耐高温,光学透明,适用于MEMS工艺,钝化层,微流控以及光电子器件
HTG910-Line60-140um适用于选择性电镀
NR26-25000P-Line20-120um分辨率高,粘附性好,显影时间短,相对容易去胶


标签:光刻胶
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